[ACTU] 110 GHz : Un transistor au fluor qui bat tous les records !

110 GHz : Un transistor au fluor qui bat tous les records !
Par Christophe Olry, Futura-Sciences, le 19/08/2006 à 15h24


Dans un communiqué de l’université de Southampton, au Royaume-Uni, on apprend que des ingénieurs ont mis au point une méthode pour fabriquer des transistors bipolaires deux fois plus rapides que ceux présents actuellement sur le marché.


Grâce au fluor, un nouveau record de fréquence a été obtenu par des ingénieurs de l'université de Southampton
(Crédits : Southampton University)

Ce sont des ingénieurs de l’université de Southampton, et plus particulièrement de son école d’électronique et d’informatique (ECS), qui sont parvenus à cet exploit. En collaboration avec STC Microelectronics, ils ont doté des transistors bipolaires au silicium conventionnels d’implants de fluor et sont ainsi parvenus à les cadencer à la fréquence exceptionnelle de 110 GHz. Une fréquence deux fois supérieure au record actuel en la matière !

Le professeur Peter Ashburn, qui supervisait ces travaux, a expliqué que la présence des implants de fluor permettait d’empêcher la diffusion du bore à la base du transistor, de rétrécir ainsi la largeur de cette base et, in fine, de faire circuler plus rapidement les électrons. « Ce résultat montre que l’industrie électronique [NDLR : notamment les fabricants de téléphones mobiles et d’autres systèmes sans-fil] a la possibilité d’obtenir de meilleures performances, et ce pour un surcoût modéré. », a-t-il déclaré. Ainsi, cette avancée a permis d’obtenir avec du silicium des performances comparables à celles des transistors SiGe (silicium-germanium).

L’équipe étudie actuellement le comportement du fluor et recherche d’autres matériaux susceptibles de stopper la diffusion du bore.